元件常识(元件知识)

元件常识

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元件常识

一：绪论：

一部高质量的性能优良的电子整机产品的制成，要经过多道工序，其质量好坏，取决于多种因素。包括：原材料的质量，元器件和部件的性能和质量，线路设计的优劣，结构安排的合理性，工艺的先进性，造型设计是否美观等等。但是，把各种元器件和部件装配成整机，进行必要的调整和测试，以及按规定对整机进行检验与试验，则是必不可少的十分重要的程序。电子整机产品的质量，最终要靠这道程序保证。

电子产品经历了几代：电子管时代；晶体管时代；集成电路时代。

电子整机的调试工艺与机器制造业不同，机器制造业有严格的公差。而电子元器件的电气参数离散性比较严重，所以必须进行调试。

操作技能比较关键，而技能的获得在于训练。

电子线路板常见元件简介：

一：PCB板。二：电阻（电位器）。三：电容器。 四：电感线圈。

五：变压器。 六：二极管。 七：三管脚元件：三极管。场效应管。晶闸管。

八：集成电路（芯片）。

九：发光元件：数码管。点阵。发光管（LED）。

十：发声元件：蜂鸣器。振铃（喇叭）。

十一：连接元件：插座（不同颜色）IC座。短路线。

十二：转换元件：继电器。光耦。整流桥。发射管，接收管, 按键。

十三：能源元件：晶体（晶振）。电池。

十四：保护元件：保险管 十五：传感器

十六：其它：

一．电子线路板（PCB：Print cucirt buard）

一: 电路 ( Circuit ):

是由电工设备和元器件按一定方式联接起来的总体,为电流流通提供了路径.

二: 电源( Electric Source ): 电路中供给电能的设备和器件称为电源.

三: 负载( Load ) : 电路中使用电能的设备和元件称为负载.

四：电流（Current）：电荷的定向移动形成电流。电流的大小常用电流强度（Current Intensity ）来衡量。单位为:（A安培.）

五：电流强度：指单位时间内通过导体横截面的电荷量。

六：直流(direct current )..大小和方向均不随时间改变的电流，叫恒定电流（直流）：

七：交流(Alternating current)：电流的大小和方向都随时间变化，称变动电流,其中一个周期内电流的平均值为零的变动电流，称为交变电流.（交流）

八：电压( voltage )：电路中A，B两点间电压的大小等于电场力由A点移动单位正电荷到B点所作的功。当正电荷顺着电场力的方向由A点移动到B点，电场力作正功，这时A点到B点的电压也称为电压降。单位为：伏（V）

在电路中任选一点为参考点，则某点到参考点的电压降就叫做这一点（相对于参考点）的电位。

九：电功率（Power）: 在单位时间内电路元件吸取（或消耗）的电能。

单位为：瓦（W） P=UI=RII

由于耗能元件吸收功率,常引起温度的升高,所以不少电器给出额定值.为安全运行的限额值,也是经济运行的使用值.

额定电压(rated voltage ) 额定电流( rated current) 额定功率( rated power)

电信号: 在电子技术中是指变化的电压或电流. 电信号分为两大类: 一类是信号的振幅随时间呈连续变化,称为模拟信号. 另一类: 只是在某些不连续的瞬时给出的函数值.即时间和幅值都是离散的.如: 0/1 开/关.

电路问题主要是两大类：电路的分析（Circuit analysis）; 电路的综合(Circuit synthesis)。

电路的分析是指按已给定电路的结构和参数来计算电路有关的各物理量。

电路的综合是指按给定的电气特性（或者说按给定电路性质的数学描述即网络函数）来实现一个电路，即确定电路的结构以及组成电路的元件类型和参数。

10 绝缘材料按其化学性质不同，可分为无机绝缘材料和有机绝缘材料。

11. 有机绝缘材料：树脂，塑料，绝缘胶黏剂，橡胶，绝缘漆，绝缘纸各纸板，层压板，绝缘油。无机绝缘材料：玻璃，陶瓷，云母及其制品。石棉及其制品。

12. 高电导材料：铜及铜合金，铝及铝合金，贵重金属及其合金，敷铜板。

电介质的极化与相对介电常数。在外电场的作用下，绝缘材料中原先杂乱排列的电荷沿电场取向，称为电介质极化，极化的结果，在电介质的表面形成了符号相反的感应电荷。

以某种物质为介质的电容器的电容与以真空做介质的同样尺寸的电容之比值，称为该物质的相对介电常数。

二．电阻器

一：概念：

电阻( Resistance )：电流通过导体时，导体对电流的阻力，称为电阻；在电路中起电阻作用的元件称为电阻器，通常简称电阻。由于其有阻碍电流流动的作用,所为耗能元件.

二：实体构成： 电阻器由：电阻体；基体（骨架）；引出线；保护层。

三：主要用途：稳定和调节电路中的电流和电压，作分流器和分压器，以及作为消耗电能的负载电阻等。

电阻阻值随温度升高而增大: 金属银, 铜, 铝, 铁等;

电温度升高阻值减小:半导体,电解液.

电阻几乎不随温度变化. 康铜, 锰铜, 镍铬合金等.

四：型号命名方法：RJ14。

第一部分用字母表示主称。R电阻；W电位器；第二部分用字母表示材料；

T：碳膜；J：金属膜 Y：氧化膜 H：合成膜 X：线绕。

第三部分一般用数字表示分类，个别用字母表示。

1，2：普通；3：超高频；4，5：高阻；7：精密； 8：高压；9：特殊；

第四部分用字母表示序号。

五：电阻器分类：

1：固定电阻器：A：线绕电阻器：通用，精密，功率型，高频；

B：非线绕电阻器：a: 实芯：有机合成，无机合成；

B: 薄膜型：碳，金属，合成，

金属膜电阻器具有体积小，温度系数小，精度高，耐湿耐热，稳定可靠等特点。

主要技术特性： 1.温度冲击：-65~+150℃ 5次循环。2.低温工作：--65℃ 1H。

3. 过载： 2.5倍额定电压。4. 介质耐压：500V，1MIN。 5. 耐湿：93~98%。

6. 寿命70℃下加额定电压，1.5H通，0.5H断，时间：1000H。7.冲击 8.高频振动。

C: 金属玻璃釉电阻器。

2：可变电阻器：滑线电阻器；可变线绕电阻器。

3：敏感型电阻器（半导体电阻器）：是指电阻值对某些物理量（温度，光照，电压，磁通，湿度，压力，气体）敏感的元件。

A: 热敏（MF正，负MZ）：PTC（温度升高而增大），NTC。

B：光敏MG（光电效应，光谱）：根据入射波长的不同，可分为：

1． 可见光光敏电阻器，波长范围为0.4~0.76UM，主要是多晶硫化镉，主要用于光电自动控制系统，光电计数器，光电跟踪系统。

2． 红外线，波长为0.76~1000UM，主要用于导弹制导，卫星监测，红外通信。

3． 紫外线。波长为0.2~0.4UM，主要用于探测紫外线。

C: 压敏MY（471，561），是一种非线性电阻元件。阻值与两端施加的电压值大小有关。通过压敏电阻器的电流随外加电压的变化关系。压敏电阻简称VSR。核心材料为氧化锌(ZNO)。标称电压指通过1MA直流电流时压敏电阻两端的电压值。

D：磁敏: 是采用磁阻效应的材料制成，阻值会随磁感应强度的增大而增大，是一种磁电转换元件。

气敏：是利用半导体材料的表面吸附某种气体后使其电阻率产生变化的特性制成。

力敏：是利用某些金属和半导体材料的电阻率会随外加应力而改变制成的。可制成转矩计，张力计，加速度计。

湿敏：是利用某些半导体材料表面吸附水汽后其电阻率产生变化的特性制成的。它可用于相对湿度的测量。

熔断电阻器：又称保险电阻器，是一个具有电阻器和熔断器双重作用的复合复合功能的电阻器，电路正常工作起电阻作用的。电路发生故障，其迅速熔断。电阻值一般较小，为几欧至几十欧。具有不可逆性。熔断后不能恢复使用。

六：电阻器的主要性能参数：

1：标称阻值（名义阻值，设计阻值）及允许偏差。（材料，设备，工艺）离散性是不可避免的。

实际阻值与标称阻值之间允许的最大偏差范围叫做允许偏差。

一般用标称阻值的百分点来表示。

通用：±5％；±10％，±20％ 三个等级。

精密：±2％；±1％；±0.5％；±0.2％；±0.05％ 共11个等级。

七：电阻器标称阻值的表示方法：

1：直标法。在产品表面直接标出，标称阻值用阿拉伯数字，单位用文字符号，允许偏差用百分数表示。33K 5欧。

2：文字符号法：将标称阻值及允许偏差用文字和数字两者的有规律组合来表示。3R3，2K2。

3：色标法：银±10％，金±5％，黑0，，棕1，±1％，

红2 ±2％，橙3，黄4，绿5，蓝6，紫7，灰8，白9，无。

四环表示法。五环表示法。2.2K 3 .3K 56K

八：额定功率P。

是指电阻器在直流或交流电路中，当大气压在（750±30）*133。332Pa时，在产品标准中规定的额定温度下，长期连续负荷所允许消耗的最大功率，通常又称标称功率。 温度升高，功率下降使用。

九：额定电压与最大工作电压。

十：噪声。

是指电阻器中一种不规则的电压起伏，它由热噪声和电流噪声两部分组成。

十一：电位器：

1：定义：是一种连续可调的电阻器，它靠一个活动点（电刷）在电阻体上滑动，可以获得与转角（或位移）成一定关系的电阻值。

2：主要性能参数：a: 标称阻值（最大阻值）与零位电阻；零电阻是电位器的活动点外于始末端时，活动电刷与始末端之间存在的接触电阻，此阻值不为零，而是电位器的最小阻值。 B: 阻值变化特性：直线式（分压电路），指数式(音量控制)，对数式（音调控制）。C: 动噪声（静噪声：热噪声，电流噪声）分辨力（输出量调节的精细程度的指标）d: 其它与电阻相同。

3: 分类：接触式（直接接触）与非接触式（光电电位器，磁敏电阻器）。

A: 按材料分：合成膜，金属膜，氧化膜。B: 按调节方式分：旋转式各直滑式。C: 按组合形式分：单联和多联（同轴，异轴式）。D: 按是否带开关（带开关（旋转式，推位式）与不带开关）。

十二：排阻（网阻）

三．电容器

一：概念（定义）：C＝Q/U

电容器是由两个相互靠近的导体与中间所夹一层不导电的绝缘介质构成的。这两个导体为电容器的电极，它们具有储存电荷的能力。有把电能转换成电场能储存起来。具有充放电特性和隔直流通交流的能力。

电容量表示电容器的容量大小。指一个导电极板上的电荷量与两块极板之间的电位差的比值。单位：法位。UF，NF，PF。

二：型号命名方法：

第一部分为主称C.。

第二部分为材料（C－高频陶瓷；Y－云母；J－金属化纸；CD－铝电解；

CA－钽电解；CT－高频陶瓷）。

第三部分为分类，第四部分为序号。

三: 电容器的主要性能参数:

1: 标称容量与允许误差. 2: 绝缘电阻和时间常数. 绝缘电阻表示电容器的漏电性能. 它在数值上等于加在电容器两端的电压除以漏电流.. 3: 抗电强度: 表示电容能够承受加在它的两个引出端上的电压而不被击穿的能力.:工作电压.试验电压. 4: 电容器的损耗: 电容器在电场作用下.单位时间内因发热而消耗的能量为电容器的损耗. 5 电容器的温度系数: 电容量随温度变化的程度.

各种电容的特点：

1：涤纶电容CL：体积小，容量大，耐热耐湿性好。价格低，稳定性差。适用于对频率和稳定性要求不高的电路。

2：聚丙烯电容CB：介质损耗小，绝缘电阻大.电容稳定性好.缺点是耐热性差.

3: 金属化纸介电容器CJ: 体积小,容量大,特点是受高电压击穿后能自愈.容量稳定性差.适用于对频率和稳定性要求不高的场合.

4: 云母电容CY: 是一种高稳定，高可靠，高精密的电容器。损耗小，绝缘电阻高。价格较贵，容量不高。

5：瓷介电容CC型： 体积小，耐热性好，且能耐酸，碱，盐类的侵蚀。损耗小，绝缘电阻高，稳定性高。容量较小。常用于要求低损耗和容量稳定的高频电路中，或做温度补偿之用。

6：瓷介电容CT型：绝缘电阻低，损耗大，稳定性差。一般用于低频电路作旁路，隔直流或电源滤波。

7：铝电解电容CD型：两电极是不同材料制成。用铝箔作正极，电解质作负极。介质AL2O3膜是在正极铝箔表面上生成的。单位体积电容量特大，单位容量价格最低，重量最轻。由于介质AL2O3和电解质交界处具有单向导电性，所以有极性。其缺点是容量误差大，损耗大，漏电流大，时间稳定性差，容量损耗的温度频率特性差。它适用于直流或脉动电路中作整流，滤波和音频旁路。

8钽电解电容CA型：有固定钽和液体钽电解电容两种。固体破正极是用钽粉压成块，烧结成多孔形，介质是在其表面上生成的一层TA2O5膜，负极是在TA2O5介质上被覆的一层MNO2。液体钽电解的负极为液体电解质。与铝电解电容相比：损耗小，漏电流小，绝缘电阻大，性能稳定，寿命长，体积小，容量大，价格高，通常只在要求较高的场合下才用。

9．金属化聚丙烯薄膜电容器：气侯类别。额定电压。电容量范围。容量允许偏差。损耗角正切值。耐电压，耐涌流。阻燃特性。.

四．电感线圈

一．定义：凡能产生电感作用的元件统称为电感器，简称电感。通常电感都是由线圈构成，故也称电感线圈。它是一种储磁能元件。具有通直隔交的特性。用L表示。单位是亨利，简称为亨。用H表示。Mh, uh.

二．基本性能参数： 电感量及其精度； 品质因数：线圈中储存能量与消耗能量的比值称为品质因数； 分布电容：线圈圈匝与圈匝之间，线圈与底座之间均存在分布电容； 稳定性： 电感量随温度，湿度等变化的程度。

三．电感线圈的结构： 通常线圈由骨架（支撑导线），绕组，

磁芯（增大电感量，缩小体积），屏蔽罩等组成。

五．变压器

一．定义：是变换电压，电流和阻抗的器件。它是利用电磁感应原理。即利用两个线圈之间存在的互感原理制成的。一般由铁芯和线圈两部分组成。线圈有两个或更多的线组，接电源的绕组叫初级线圈，其余的绕组叫次级线圈。

二．主要性能参数：

a: 电压比：是指初级电压与次级电压的比值； b: 额定功率： 指在规定的频率和电压下，长期工作而不超过规定温升的输出功率； c: 温升：变压器通电工作发热后，温度上升到稳定时，比周围环境温度升高的数值； d: 效率：输出功率与输入功率的比值；e: 空载电流：次级开路，初级电流。 F: 绝缘电阻： 各绕组间，各绕组与铁芯间的电阻。

1． 电气参数：空载电流：小于12MA，空载损耗：小于0.9W。空载输出电压：11V±0.5V。

2． 直流电阻(20℃)：800欧±15%。

3． 抗电强度：初级与次级，铁芯之间施加AC3000V/1.0MA/1MIN。次级与铁芯间施加AC1500V/1.0MA/1MIN。无击穿，飞弧现象。

4． 绝缘电阻：初级对次级，铁芯间施加DC500V时，常态绝缘电阻不小于1000M。

5． 感应电压：初级输入440V，100HZ交流正弦电压时，空载电流无显著增大现象。

6． 温升试验：在额定负载状态下，连续工作达到热平衡，各绕组各铁芯温升应小于60K。

六~~七.半导体元件

一．定义：半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。

硅，锗，硒，砷化镓，金属的氧化物和硫化物。

二．半导体的特性：

1：导电能力受环境温度影响很大（热敏特性）PTC；

2：对光照辐射敏感（光敏）光敏电阻，光电二极管，光电三极管，太阳能电池。

3：“杂质”（微量元素）可以控制半导体的导电能力；硼。二，三极管；晶闸管；场效应管，各种集成电路，红，绿，黄等光线形形色色半导体发光器件。

硅：+14，4个价电子；锗：+32，4个价电子；

P：Positive （正）； N：Negative（负）。

PN结具有单向导电性。

三．半导体器件的型号命名：共五部分：

第一部分：用数字表示器件的电极数目。

第二部分：用字母表示器件的材料和极性：

二极管：A：N型，锗材料；B：P型锗材料；

C：N型，硅材料；D：P型，硅材料；

三极管：A：PNP型，锗材料；B：NPN型，锗材料；

C：PNP型，硅材料；D：NPN型，硅材料；E：化合物材料。

第三部分：用字母表示器件的类型：

P：普通管；V：微波管；W：稳压管；C：参量管；Z：整流管；L：整流堆；

S：隧道管；N：阻尼管；U：光电器件；K：开关管；X：低频小功率管；G：高频小功率管；D：低频在功率管；A：高频大功率管；T：半导体闸流管（可控整流器）；Y：体效应器件；B：雪崩管；J：阶跃恢复管；CS：场效应器件；

BT：半导体特殊器件；FH：复合管；PIN：PIN型管；JG：激光器件。

注： 半导体特殊器件，复合管，激光器件的型号命名只有第三，四，五部分。

第四部分：用数字表示序号。第五部分用字母表示规格号。

例：3AG11G。

六. 二极管

一．定义：二极管：半导体二极管由一个PN结加上相应的引出端和管壳构成的。

P：正极（阳极）；N：负极（阴极）；玻璃外壳的锗二极管：有色点或黑环的一端为负极。或用万用表的电阻档，测量正，反向电阻值。

二．特性：

1：正向特性：死区电压，锗管约为0.1V; 硅管约为0.5V; 电流变化,电压不变:

锗管:0.2~0.3V; 硅管:0.6~0.7V。

2：反向特性：反向电流：1：随温度上升而急剧增长；

2：反向电流不随反向电压变化。

3：整流二极管的主要参数： 最大整流电流；最高反向工作电压。

定义： 整流：将交流电压转换成直流电压的过程叫做整流。

半波整流：UL=0.45U2; URM:=1.4U2; 全波整流：UL=0.9U2., URM:=2.8U2

单相桥式整流: UL=0.9U2; URM:=1.4U2.(硅桥式整流器)(硅桥堆).

滤波电路:1:电容滤波是并联滤波.2:电感滤波是串联滤波.

常见的滤波电路有;

1. T型; 一只电感和一只电容.

2. π型; 一只电感和两只电容 .

3. RC型. 一只电阻和两只电容.

三：常见特殊二极管：

1． 稳压二极管：利用击穿时通过管子的电流在很大范围内变化，而管子的电压变化很小的特性。实现稳压。硅稳压管实质就是工作在反向击穿状态下的硅二极管。主要参数：稳压电压，稳压电流，最大稳压电流，一般外电路串接一个限流电阻，需要稳压的负载并连在稳压管两端。

正 负

2．变容二极管：是利用PN结的电容效应而工作的。容值大小不是恒定值，它与PN结的反偏电压大小有关，升高时，电容减小，常用于调谐电容使用。

4. 光电二极管（光敏二极管）外界能量的(光,热)激发产生电子空穴对.：反偏状态。由光照射产生光生载流子。通过回路的外接电阻可获得电流，从而实现光电转换或光电控制。光子的能量与光波的频率有关，称为光谱响应特性。硅光电二极管对波长0.8~0.9UM的红外光最为敏感; 锗光电二极管对1.4~1.5UM的远红外光最为敏感.

正 负

主要参数: 响应时间,灵敏度. 应用于光电转换的自动探测,光接收器件.

4:。发光二极管(LED:Light Emitting Diode): 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光;磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V. 反向击穿电压约为5V.

正 负

显示器件.优点:体积小,显示快,光度强,寿命长. 缺点: 功耗大.

七--1. 三极管

一．定义：半导体三极管又叫晶体三极管，通常简称三极管或晶体管。三极管具有电流放大作用。三极管内部结构：基区很薄，发射区的掺杂浓度比基区和集电区的浓度大得多，集电结的面积比发射结的面积大。

为实现电流放大作用，必须具备一定的外部条件：发射结加正压；集电结加反压。

三极管内部结构为两个PN结，根据三层半导体区排列方式不同，分为PNP型与NPN型两种。基极（B：Base ）；发射极（E：Emitter ）；集电极（C：Collector）;供屏蔽用的金属外壳也有电极，用字母D表示；大功率管的集电极通常与金属外壳相连。两种不同的三极管的区别仅在于基极与发射极箭头的方向。箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。以此判断NPN或PNP型。

三极管各电极中的电流：1. 发射区向基区注入电子: 发射区正偏,发射区的自由电子不断地扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流. 2: 电子注入基区后: 由于基区很薄,从发射区向基区注入的电子在向集电结扩散的过程中,只有少量与基区中的多子(空穴)相复合.与空穴复合的电子流记作IBN。因基区的空穴是电源VBB提供，故IBN是基极电流IB的主要成分。3: 集电极收集电子的情况： 由于集电结反向电压,从发射区向基区注入的电子成为集电极电流IC的主要成分.

三极管的放大作用,主要取决于基区中载流子的分配关系,特别是漂移电流ICN和复合电流IBS的比例关系.

三极管的工作有赖于两种载流子---电子和空穴,因此又称为双极型晶体三极管(BJT: Bipolar Junotion Type Transistor).IC=?IB 利用基极回路的小电流IB,实现对集电极,发射极回路的大电流IC(IE)控制,这就是三极管以弱控制强的电流放大作用.由于三极管有三个电极,必然有一个极为输入与输出的公共端.共哪个极就是哪个极为输入与输出的公共端.

共射电路输入特性曲线: 开启电压: 硅管0.5V, 锗管 0.1~0.2V.

输出特性曲线: 放大区; 截止区; 饱和区.

三极管的主要参数：1：电流放大倍数（直流，交流）；2：极间反向电流；3：三极管的极限参数：集电极最大允许电流；最大反向击穿电压；集电极最大功耗。

七—2. 场效应管

一． 定义：

场效应管（FET：Field Effect Transistor）电一种电压控制型半导体器件。突出特点是输入电阻非常高，能满足高内阻的信号源对放大器要求，因此，它是较理想的前置输入级器件。功耗低，制造工艺简单，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强。

二． 分类：按结构不同分为：

结型（JFET：Junction Field Effect Transistor

绝缘栅型（IGFET：Insulated Gate Field Effect Transistor）

1： 结型： 栅型场效应管，其输入电阻为PN结的反向电阻（总能存在反向电流）： 栅极（g）；源极（s）；漏极（d）。利用外加电压变化产生的结内电场变化控制导电沟道电流的目的。是一种电压控制电流源。

2：绝缘栅场效应管：共栅极与沟道是绝缘的。目前应用最广泛的金属—氧化物---半导体场效应管，简称MOS（Metal—Oxide---Semiconductor）管。

MOS管除分为N沟道P沟道之分； 还有增强型和耗尽型之分。

七—3. 晶闸管

一．定义：它的栅极象闸门一样能够控制大电流的流通，因此被称为闸流管。有阳极（a）阴极（k）；控制极（门极g）。

是一种应用广泛的半导体功率开关器件。可用作可控整流，交流调压，无触点开关（继电器）以及大功率变频和调速系统中的重要器件。与大功率三极管相比，具有效率高，电流容量大，使用方便而又经济等优点。

三． 分类。

分为：普通单向和双向晶闸管，可关断晶闸管，光控晶闸管。

硅晶体闸流管（简称晶闸管）又称可控硅（SCR：Silicon(硅石) Controlled Rectifier（整流器）.英文晶闸管为：Thyristor。

三．特点：要使晶闸管导通，必须具备两个条件：

1：晶闸管的阳极要加上正极性电压；

2：晶闸管的控制极要加上适当的正极性电压。

晶闸管导通后，控制极就失去作用。要使其关断，必须把正向阳极电压降到一定的数值（或者在晶闸管阳，阴极间施加反向电压）使流过晶闸的电流小于维持电流。

单向半波可控硅；单向桥式可控硅

十：集成稳压器：

按输出电压可分为：1：固定式稳压电路；2：可调式稳压电路。可通过外接元件使输出电压在较大范围内进行调节。

1：三端固定式稳压器：输入端；输出端；公共端。7800系列：5V；6V；9V；12V；15V；18V；24V。共七个档次。其型号的后两位数表示输出电压值.其有两种封装形式: 一种是金属封装; 另一种是塑料封装.

集成稳压器的主要参数: 输出电压; 最大输出电流,是个极限参数.因此要注意稳压器的散热,安装规定的散热片.

八. 集成电路

一． 定义：

二．

二．分类：集成电路（IC）

国际上形成主流的集成数字逻辑电路：7个TTL系列；5个CMOS系列。标准TTL电路（STDTTL）；高速TTL（HTTL）；低功耗TTL（LTTL）；肖特基TTL（STTL）；低功耗肖待基TTL（LSTTL）；先进肖特基TTL（ASTTL），先进低功耗肖特基TTL（ALSTTL）；仙童（快捷）；先进肖特基TTL（FAST），CMOS 4000系列电路；高速CMOS电路（HC或HCT）；先进CMOS逻辑电路（AC和ACT）。

三．型号命名方法：

1．原部标规定的命名方法：第一部分：电路类型（1位）T：TTL；H：HTL；E：ECL；P：PMOS；N：NMOS；C：CMOS；F：线性放大器；W：集成稳压器；J：接口电路。第二部分（3位）：电路系列和品种序号。第三部分：（1位）：电路规格符号（拼音字母）。第四部分（1位）：电路封装：A：陶瓷扁平；B：塑料扁平；C：陶瓷双列直插；D：塑料双列直插；Y：金属圆壳；F：金属菱形。

2．原国标规定的命名方法：

第一部分C：中国制造；第二部分（1位）器件类型：T：TTL；H：HTL；E：ECL；C：CMOS；F：线性放大器；D：音响，电视电路；W：稳压器；J：接口电路；B：非线性电路；M：存储器；U：微机电路。第三部分（1位）：工作温度范围：C：0~70度：R：-55~85度； E：-40~85度；M：-55~125度 。第五部分：器件封装符号：W：陶瓷扁平；B：塑料扁平；D：陶瓷双列直插；P：塑料双列直插；T：金属圆壳；K：金属菱形。

3．现行国家标准规定的命名方法：

第一部分C：中国国标产品；第二部分：器件类型（1位）：T：TTL；H：HTL；E：ECL；C：CMOS；F：线性放大器；D：音响，电视电路；W：稳压器；J：接口电路；B：非线性电路；M：存储器；U：微机电路。 AD：A/D转换器；DA：D/A转换器；SC：通信专用电路；SS：敏感电路；SW：钟表电路；SJ：机电仪电路；SF：复印机电路。第三部分：用阿拉伯数字和字母表示器件系列品种：其中：TTL分为：54/74***；CMOS分为：4000系列；第四部分（1位）：工作温度范围：C：0~70度：G：-25~70度；L：-25~85度 E：-40~85度R： -55~85度M：-55~125度。第五部分：器件封装符号：H：陶瓷扁平；F：多层陶瓷扁平；B：塑料扁平；D：多层陶瓷双列直插；P：塑料双列直插；T：金属圆壳；K：金属菱形。

四．常见生产厂商：

国外主要生产厂家：AMD：先进微器件公司（美）；ANA：模拟器件公司（美）BUB：布尔—布朗公司（美）；FSC：仙童公司（美）；HAS：哈里公司（美）；HITJ：日立公司（日）；INL：英特希尔公司（美）；ITL：英特尔公司（美）LTC：线性技术公司（美）；MITJ：三菱电气公司（日）；MOTA：莫托洛拉公司

九. 发光元件（显示元件）：数码管。点阵。发光管（LED）

一方面供人们直接读取测量或运算结果； 另一方面用以监视数字系统的工作情况。

一: 辉光数码管和荧光数码管

脉冲信号----计数器-----译码器------驱动器------显示器。

辉光数码管是一种冷阴极辉光放电管，它的外形式电子管相似，在玻璃管内封装有十个阴极K和一个公共阳极A。十个阴极分别用金属丝做成0~9十个阿拉伯数字的形状，在管芯内用陶瓷绝缘子把它们相互分隔开并叠装在一起，十个阴极和一个阳极通过内部引线焊接在相应的管脚上。

荧光数码管由于阳极电流小于1MA，因而可能用MOS集成电路直接驱动。它有灯丝（称作阴极），栅极和阳极。阳极分成八个字段，阳极各字段上涂有荧光物质。各个电极通过底部引出须状管脚。

数码管分为共阴极和共阳极两类：规格尺寸分大小。

二: 点阵:

三: 发光管（LED）:

发光二极管(LED:Light Emitting Diode): 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光;磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V.

显示器件.优点:体积小,显示快,光度强,寿命长. 缺点: 功耗大.

十. 发声元件：蜂鸣器。振铃（喇叭）

一: 蜂鸣器:

二: 振铃（喇叭）

十一. 连接元件：插座（不同颜色）IC座。短路线。

一: 插座（不同颜色）IC座:

二: 短路线:

十二. 转换元件：继电器。光耦。整流桥。发射管，接收管。按键。

一: 继电器:

1． 线圈特征：额定电压：5VDC，12VDC，24VDC。额定电流： 180MA，75MA，37.5MA。 线圈电阻：27.8欧，160欧，640欧。必作电压：额定电压70%。3.5V，8.4V。必释电压：额定电压10% 0.5V，1.2V。最大电压：额定电压110% 5.5V。13.2V。功率消耗：大约0.9W。

2． 触点额定值：额定负载：250VAC下为20A。额定承载电流： 20A。最大开关电压：250VAC。最大开关电流：20A。最大开关容量：5VA。最小容许负载：在5VDC下为100MA。

3． 其它：触点电阻：最大30毫欧。工作时间：最大20MS。释放时间：最大10MS。最大工作频率： 机械：18000次动作。绝缘电阻。介电强度。抗振动性。抗冲击性， 期望寿命。环境温湿度。重量。

二: 光耦:

三: 整流桥:

单相桥式整流: UL=0.9U2; URM:=1.4U2.(硅桥式整流器)(硅桥堆).

四: 发射管:

五: 接收管:

六: 按键:

.有接触脉冲式,自锁式两种.

七: 开关:

开关是一种电路通断元件

十三. 能源元件：晶体（晶振）。电池.

一: 晶体（晶振）:

二: 电池.

十四. 保护元件：保险管

一: 保险管 ( 熔断式, 自恢复式)

保险管是一种电源保护元件.一般是串联在220V电源输入端的火线上.

十五： 其它

1． HC708密封胶江苏无锡后宅前进化工二厂：TEL：0510-2490235

特征：胶力强，堆积性好，耐高低温 ，绝缘，防水不，防震性能好。

2． KAN-C型轻触按钮开关：

特征：体积小，寿命高，触力轻，行程短是，电气性能可靠。动作行程：0.25mm.，动作力：0.5~2N ，接触电阻：小于0.1欧。绝缘电阻：大于100M。耐电压：250V。机械寿命：10万次(无负荷)，电气寿命：10万次(有负荷)、

本征半导体: intrinsic semiconducor 空穴:hole 扩散:diffusion 多子: majority carrier N型: N typePN结:PN junction 耗尽层:depletion layer 伏安特性: volt ampere characteristies 结电容: junction capacitance 二极管: diode 载流子:carrier 漂移:drift 杂质: inpurity少子: minority carrier P型: P type 雪崩击穿:avalanche breakdown 齐纳击穿:zener breakdown 电容效应: capacitance dffect 温度影响:temperature effect 等效电路: dquivaloent circuit 符号:symbol 参数:parameters 弯容二极管:variable capasitance diode 晶体管:transistor 输入特性: input characteristic放大作用: amplification ditnn耗尽型:depletion type 结型:juntion type 稳压二极管: zener diode 发光二极管:light emitting diode 放大区: active region截止区: cutoff region共射:common emitte 导通电压: cutin voltage输出特性: output characterisi 选管原则: selection principle 恒流区:constant current region 夹断电压: pinch off volgag可变电阻区: variable resistance region 源杉:source 栅极:gate 转移特性:transfer characteristic 开启电压: threshold voltage耗尽层:depletion type 集成电路: integrated circuit漏极: drain绝缘栅型: insulated gate type增强型: enhancement type 反型层: inversion laye

直流电路: direct current path交流电路:alternating current path 等效电路: equivalent circuit 性能指标: characteristic 自举电路: bootstrapping直接耦合: direct coupled 电流源:current source 有源负载:active load 频率响应: frequency response 波特图:bode plot 失真系数:distortion factor 通频带:bandwedth 反馈:feedback 正反馈:positive feedback 负反馈:negative feedback 开环: open loop 闭环:closed loop 并联反馈:shunt feedback 串联反馈: series feedback 自激振荡:self excited oscillation 运算放大器: operational amplifier理想运放: ideal operstional 失调电流:offset current 求和电路: summing circuit 微分电路: differentiation circuit 积分电路: integration circuit 乘法器: multipller 比较器: comparator 通频带: bandwidth 线性失真: linear distortion 功率放大器: power amplifier 输出功率: output power 效率:efficiency 互补电路:complementary pair 集成功放: integrated circuit power 单相: single phase 电容滤波:capacitance filter 三端稳压器:three—terminal regulator